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BG真人 三星积极研发160层及以上的3D NAND闪存

时间:2020/04/22  点击量:73

对于3D闪存来说,堆栈层数越众,就能实现更大的容量,带来更高的存储密度,这也是3D闪存的中央竞争力。东芝、三星、SK海力士还美光均计划在2020年大周围量产100层以上的3D NAND闪存。

每家闪存制造商采用差别的技术方案,东芝、西数的BiCS 5代3D闪存是112层,美光、SK海力士是128层,英特尔则是144层浮栅极技术BG真人,三星2019年推出的第六代V-NAND闪存也做到136层BG真人,是2020年量产的主力;长江存储公司在上周宣布占有128层3D闪存技术BG真人,QLC类型容量做到1.33Tb容量,创造三个世界第一。

国产闪存蒸蒸日上,三星在积极开发160堆栈的3D闪存。160层及以上的3D闪存是136层之后的产品,将成为第七代V-NAND闪存的基础。三星现在尚未公布160层的3D闪存的详细技术新闻。

韩媒报道称,三星能够会大幅改进制造工艺,从现在的单堆栈(single-stack)升级到双堆栈(double-stack),以便制造更高层数的3D闪存。

考虑到三星占有了NAND闪存走业超过1/3的市场份额,160层以上堆栈的闪存答该会由三星始发,不息保持闪存技术上的上风,拉开与对手的差距。

另表,三星的160层闪存还不是最高的,SK海力士在年宣布正在研发176层堆栈的4D闪存,但考虑到SK海力士闪存组织甚至命名都跟其他厂商有所差别,单望层数的意义并不大。

记者|张晓云

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